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13年
企业信息

深圳市兴中芯科技有限公司

卖家积分:21001分-22000分

营业执照:已审核

身份证:已认证

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:广东 深圳

人气:613317
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相关证件:营业执照已审核 身份证已审核

会员类型:

会员年限:13年

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TI INA849DR 仪表放大器
TI INA849DR 仪表放大器
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TI INA849DR 仪表放大器

通道数量:

1 Channel

3dB带宽:

28 MHz

SR - 转换速率:

35 V/us

CMRR - 共模抑制比:

127 dB

Ib - 输入偏流:

20 nA

产品信息




Texas Instruments INA849超低噪声仪表放大器

Texas Instruments INA849超低噪声仪表放大器优化用于在高分辨率系统中实现zui高精度,可在较宽单电源或双电源电压范围内工作。由于采用超级β输入晶体管,所以该器件的输入偏置电流大幅低于竞品。先进的制造工艺带来极低电压噪声、输入失调电压和失调电压漂移。

jing确匹配的集成电阻器在整个输入共模范围内提供92dB (G=1) 高共模抑制。可通过单个外部电阻在1到10000范围内设置增益。Texas Instruments INA849的电流反馈拓扑结构为非常小的快速移动信号提供高带宽和高增益。例如,该器件在G=100时提供8MHz带宽,在G=1时提供28MHz带宽,具有0.4?s快速稳定时间 (0.01%),用于直接驱动高分辨率模数转换器 (ADC)。

特性

  • 超低噪声:1nV/√Hz输入电压噪声(典型值)
  • 精密超级β输入性能
    • 低失调电压:35?V(zui大值)
    • 低失调电压漂移:0.4?V/°C(zui大值)
    • 低输入偏置电流:20nA(zui大值)
    • 低增益漂移:G=1时5ppm/°C(zui小值)
  • 带宽:28MHz (G=1)、8MHz (G=100)
  • 压摆率:35V/?s
  • 120dB(zui小值),实现zui大增益共模抑制
  • 电源电压范围
    • 单电源:8V至36V
    • 双电源:±4V至±18V
  • 指定温度范围:–40°C至+125°C
  • 8引脚SOIC封装

应用

  • 模拟输入模块
  • 麦克风前置放大器
  • 流量变送器
  • 电池测试
  • LCD测试
  • 心电图 (ECG)
  • 手术设备
  • 过程分析(pH值、气体、浓度、力和湿度)

TLC5951DAPR
TLC5951RTAR
TLC5920DLG4
INA849DR TLC5960DA
TLC5924RHBR
TLC5923RHBR
INA849DR
UCC25710DWR
LM8502TMX/NOPB
TLC5951RHAR
INA849DR
TLC5947DAPRG4
HPA00224AIDGKR
LM3423Q0MHX/NOPB
INA849DR
LM3421Q0MHX/NOPB
LM27965SQ/NOPB
TLC5943PWP
LM3492HCQMHX/NOPB
HPA01116RHBR
LM27964SQ-A/NOPB
TLC5942PWPG4
TLC5942PWP
TPS92601BQPWPRQ1
LP8866QRHBRQ1
LP5520TLX/NOPB
TLC5940PWPG4
TLC5971PWP