- 非IC关键词
深圳市兴中芯科技有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核身份证：已认证经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
www.xzxic.com
收藏本公司 人气：812689
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：15年
- Evan
- 电话：0755-83744584
- 手机：15013410235
- 阿库IM：
- 地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园四栋西8楼8A65
- E-mail：tangzhihui@xzxic.com
您的当前位置：深圳市兴中芯科技有限公司 > 元器件产品
询价相关产品
产品信息
Texas Instruments LMG342xR030 GaN场效应晶体管 (FET)
Texas Instruments LMG342xR030 GaN场效应晶体管 (FET) 具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。Texas Instruments LMG342xR030集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电 源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间，这可用于主动控制EMI并优化开关性能。LMG3425R030包含理想二极管模式，该模式通过启用自适应死区时间控制来降低第三象限损耗。
特性
- 符合面向硬开关拓扑的JEDEC JEP180标准
-
带集成栅极驱动器的600V GaN-on-Si FET
- 集成高精度栅极偏置电压
- CMTI：200V/ns
- 开关频率：2.2MHz
- 30V/ns至150V/ns压摆率，用于优化开关性能和缓解EMI
- 在7.5V至18V电源下工作
-
gao级电源管理
- 数字温度PWM输出
- 理想二极管模式可减少LMG3425R030中的第三象限损耗
-
强大的保护功能
- 响应时间少于100ns的逐周期过流和锁存短路保护
- 硬开关时可承受720V浪涌
- 针对内部过热和UVLO监控的自我保护
| LP8556SQX-E08/NOPB |
| LMG3422R030RQZT HPA00537PWPRG4 |
| LM3509SDX/NOPB |
| TPS61165DRVTG4 |
| LP8543SQX/NOPB |
| LP8545SQX/NOPB |
| LP8862QPWPRQ1 |
| LMG3422R030RQZT TLC5944PWPR |
| LM3528TMX/NOPB |
| TLC5944PWPRG4 |
| TLC5949PWPR |
| LMG3422R030RQZT LM3631YFFR |
| LM36273YFFR |
| TLC5949DBQR |
| TLC5945RHBR |
| TPS60252RTET |
| TPS61180RTETG4 |
| LM3423MHX/NOPB |
| LP8553TLE/NOPB |
| LMG3422R030RQZT TLC6946DBQR |
| TLC6948RGER |
| TLC5920DLRG4 |
| HPA00209DAPR |
| LM3406HVQMHQ1 |