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深圳市兴中芯科技有限公司

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TI JFE150DCKT JFET晶体管

型号/规格：

JFE150DCKT

品牌/商标：

Texas Instruments

封装：

SC70-5

批号：

JFE150DCKT

晶体管极性:：

N-Channel

询价

产品信息

Texas Instruments JFE150音频N沟道JFET

Texas Instruments JFE150音频N沟道JFET是一款Burr-Brown?分立式JFET，采用Texas Instruments的现代高性能模拟双极工艺制造而成。JFE150具有先前旧分立式JFET技术没有的性能。JFE150具有zui大的噪声-功率效率和灵活性，用户可在其中设置静态电流，在50?A至20mA电流范围内具有出色的噪声性能。该器件在5mA时偏置时产生0.8nV/√Hz输入参考噪声，具有超低噪声性能和极高输入阻抗 (>1TΩ)。JFE150还设有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高漏电、非线性外部二极管即可提供保护。

Texas Instruments JFE150可承受40V高漏极-源极电压，以及低至-40V栅极-源极和栅极-漏极电压。额定温度范围为-40°C至+125°C。该器件目前采用5引脚SOT-23封装。

特性

超低噪声
- 电压噪声
  - 0.8nV/√Hz（1kHz、ID=5mA）
  - 0.9nV/√Hz（1kHz、ID=2mA时）
- 电流噪声
  - 1.8fA/√Hz（1kHz时）

低栅极电流：10pA（zui大值）
低输入电容（VDS=5V时为24pF）
高栅极至漏极和栅极至源极击穿电压：–40V
高跨导：68mS
小型SC70封装

应用

麦克风输入
检漏器和海洋设备
DJ控制器、混频器和其他DJ设备

zhuan业音频混频器或控制表面
吉他放大器和其他乐器放大器
状态监测传感器

TLC5928RGET

TPS61181RTET

TPS61182RTER

LM3410XQMF/NOPB

LM3410XMFE/NOPB

LM3450AMT/NOPB

LM3410YMF/NOPB

LM2705MF-ADJ/NOPB

LM3423Q1MHX/NOPB

LM2753SD/NOPB

JFE150DCKT TPS61166DSKT

LM3509SDE/NOPB

TLC5920DLR

TPS61150ADRCT

TLC59581RTQR

JFE150DCKT TLC59731DR

TPS92513HVDGQR

TPS61158DRVR

LP5009PWR

TLC59281DBQR

TL4242TDRJRQ1

JFE150DCKT LP5012PWR

TPS92511DDAR

TPS92513DGQT

TPS92512DGQR JFE150DCKT

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电源IC(105)

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Texas Instruments JFE150音频N沟道JFET

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