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深圳市兴中芯科技有限公司
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产品信息
Texas Instruments JFE150音频N沟道JFET
Texas Instruments JFE150音频N沟道JFET是一款Burr-Brown?分立式JFET，采用Texas Instruments的现代高性能模拟双极工艺制造而成。JFE150具有先前旧分立式JFET技术没有的性能。JFE150具有zui大的噪声-功率效率和灵活性，用户可在其中设置静态电流，在50?A至20mA电流范围内具有出色的噪声性能。该器件在5mA时偏置时产生0.8nV/√Hz输入参考噪声，具有超低噪声性能和极高输入阻抗 (>1TΩ)。JFE150还设有连接到独立钳位节点的集成二极管，无需添加高漏电、非线性外部二极管即可提供保护。Texas Instruments JFE150可承受40V高漏极-源极电压，以及低至-40V栅极-源极和栅极-漏极电压。额定温度范围为-40°C至+125°C。该器件目前采用5引脚SOT-23封装。
特性
-
超低噪声
-
电压噪声
- 0.8nV/√Hz（1kHz、ID=5mA）
- 0.9nV/√Hz（1kHz、ID=2mA时）
-
电流噪声
- 1.8fA/√Hz（1kHz时）
-
电压噪声
- 低栅极电流：10pA（zui大值）
- 低输入电容（VDS=5V时为24pF）
- 高栅极至漏极和栅极至源极击穿电压：–40V
- 高跨导：68mS
- 小型SC70封装
| TLC5928RGET |
| TPS61181RTET |
| TPS61182RTER |
| LM3410XQMF/NOPB |
| LM3410XMFE/NOPB |
| LM3450AMT/NOPB |
| LM3410YMF/NOPB |
| LM2705MF-ADJ/NOPB |
| LM3423Q1MHX/NOPB |
| LM2753SD/NOPB |
| JFE150DCKT TPS61166DSKT |
| LM3509SDE/NOPB |
| TLC5920DLR |
| TPS61150ADRCT |
| TLC59581RTQR |
| JFE150DCKT TLC59731DR |
| TPS92513HVDGQR |
| TPS61158DRVR |
| LP5009PWR |
| TLC59281DBQR |
| TL4242TDRJRQ1 |
| JFE150DCKT LP5012PWR |
| TPS92511DDAR |
| TPS92513DGQT |
| TPS92512DGQR JFE150DCKT |