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深圳市兴中芯科技有限公司
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产品信息
Texas Instruments SN74SSTUB32866可配置寄存缓冲器
Texas Instruments SN74SFU32866可配置寄存缓冲器可调节至25位1:1或14位1:2,设计用于1.7V至1.9V VCC运行。1:1引脚分配配置每个DIMM仅需一个器件即可驱动9个SDRAM负载。1:2引脚分配配置每个DIMM需要两个器件即可驱动18个SDRAM负载。除复位 (RESET) 和控制 (Cn) 输入 (LVCMOS) 外,所有输入均为SSTL_18。所有输出均为边缘控制电路,优化用于未端接DIMM负载,符合SSTL_18规范,开漏误差 (QERR) 输出除外。TI SN74SSTUB32866可配置寄存缓冲器采用差分时钟(CLK和CLK)工作。数据在CLK高电平和CLK低电平交叉点寄存。
特性
- Texas Instruments Widebus+?系列成员
- 引脚分配优化DDR2 DIMM PCB布局
- 可配置为25位1:1或14位1:2寄存缓冲器
- 芯片选择输入从变化状态进入数据输出,并zui大限度地降低系统功耗
- 输出边缘控制电路可zui大限度地降低未端接线路中的开关噪声
- 支持SSTL_18数据输入
-
- 差分时钟(CLK和CLK)输入
- 支持控制和RESET输入上的LVCMOS开关电平
- 检查与DIMM无关的数据输入上的奇偶校验
- 能够与第二SN74SSTUB32866级联
- 支持工业温度范围(-40°C至85°C)
LM3405XMKX/NOPB |
LP5009RUKR |
LM3407MYX/NOPB |
LM3405AXMKE/NOPB |
TLC6C598QPWRQ1 |
SN74SSTUB32866NMJR |
LP5562TMX/NOPB |
LP5521TMX/NOPB |
LP5012RUKR |
LM3401MMX/NOPB |
LM3409MYX/NOPB |
SN74SSTUB32866NMJR |
TPS61042DRBR |
TPS61043DRBR |
TLC59281RGER |
LM3409HVMYX/NOPB |
SN74SSTUB32866NMJR |
TPS92691PWPR |
TLC5928PWR |
TPS61040DRVR |
TPS75100DSKR |
TPS61040DDCR |
LM3409QMYX/NOPB |
LP5018RSMR |
TLC6C5912QPWRQ1 |
TPS92691QPWPRQ1 |
TLC5917IDR |
SN74SSTUB32866NMJR |
TPS61181RTER |
TLC5928RGER |
TLC5929PWPR |
LP5569ARTWR |
TCA6507RUER |
TLC6C5912QDWRQ1 |
TLC59283RGET |