- 非IC关键词
深圳市兴中芯科技有限公司
- 卖家积分:
营业执照:已审核身份证:已认证经营模式:贸易/代理/分销所在地区:广东 深圳企业网站:
www.xzxic.com
收藏本公司 人气:812131
企业档案
- 相关证件:
 
- 会员类型:
- 会员年限:15年
- 阿库IM:
- 地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园四栋西8楼8A65
- E-mail:tangzhihui@xzxic.com
您的当前位置:深圳市兴中芯科技有限公司 > 元器件产品
相关产品
产品信息
Texas Instruments LM7481-Q1汽车用理想二极管控制器
Texas Instruments LM7481-Q1汽车理想二极管控制器具有有源整流和可调节过压切断保护功能,用于负载突降保护。LM7481-Q1可驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET,模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。该器件具有3V至65V宽输入电源电压范围,可保护和控制12V和24V汽车电池供电ECU。LM7481-Q1可承受并保护负载免受低至-65V的负电源电压的影响。TI LM7481-Q1汽车理想二极管控制器具有集成理想二极管控制器 (DGATE),可驱动shou个替代肖特基二极管的MOSFET,实现反向输入保护和输出电压保持。3.8mA大电荷泵具有60mA峰值栅极拉电流驱动器级和短导通和关断延迟时间,可确保快速瞬态响应。这样即可在ISO16750或LV124等汽车测试中实现稳健高效的MOSFET开关性能,其中ECU取决于输入短路中断,交流叠加输入信号频率高达200kHz。LM7481-Q1控制器通过HGATE控制实现负载断开(开/关控制)和过压保护,在电源路径中设有第二个MOSFET。
特性
-
符合汽车应用类AEC-Q100标准
- 器件温度1级:-40°C至+125°C环境工作温度范围
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级2
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD分类等级C4B
- 输入范围:3V至65V
- 反向输入保护至-65V
- 驱动外部背靠背N沟道MOSFET
- 理想二极管运行,具有9.1mV A至C正向电压降调节
- 低反向检测阈值 (–4mV),快速响应 (0.5?s)
- 有源整流高达200kHz
- 峰值栅极 (DGATE) 导通电流:60mA
- 2.6A峰值DGATE关断电流
- 集成3.8mA电荷泵
- 可调过电压保护
- 低关断电流:2.87?A(EN/UVLO=低)
- 2.6A峰值DGATE关断电流
- 采用合适的TVS二极管,符合汽车ISO7637瞬态要求
- 采用节省空间的12引脚WSON封装
LP8866SQDCPRQ1 |
LM74810QDRRRQ1 |
TPS61500PWP |
LP8866QDCPRQ1 |
TLC5941PWP |
LM74810QDRRRQ1 |
TLC5921DAP |
LP8860AQVFPRQ1 |
LP8860LQVFPRQ1 |
TLC59711PWP |
LM74810QDRRRQ1 |
LM3697YFQR |
TPS92561DGNR |
LM74810QDRRRQ1 |