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深圳市兴中芯科技有限公司

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经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

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www.xzxic.com

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TI LM74810QDRRRQ1 电源管理 (PMIC)

型号/规格：

LM74810QDRRRQ1

品牌/商标：

Texas Instruments

封装：

WSON-12

批号：

LM74810QDRRRQ1

输出电流:：

18 A

输入电压范围:：

3 V to 65 V

输出电压范围:：

12.5 V to 14.5 V

询价

产品信息

Texas Instruments LM7481-Q1汽车用理想二极管控制器

Texas Instruments LM7481-Q1汽车理想二极管控制器具有有源整流和可调节过压切断保护功能，用于负载突降保护。LM7481-Q1可驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET，模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。该器件具有3V至65V宽输入电源电压范围，可保护和控制12V和24V汽车电池供电ECU。LM7481-Q1可承受并保护负载免受低至-65V的负电源电压的影响。

TI LM7481-Q1汽车理想二极管控制器具有集成理想二极管控制器 (DGATE)，可驱动shou个替代肖特基二极管的MOSFET，实现反向输入保护和输出电压保持。3.8mA大电荷泵具有60mA峰值栅极拉电流驱动器级和短导通和关断延迟时间，可确保快速瞬态响应。这样即可在ISO16750或LV124等汽车测试中实现稳健高效的MOSFET开关性能，其中ECU取决于输入短路中断，交流叠加输入信号频率高达200kHz。LM7481-Q1控制器通过HGATE控制实现负载断开（开/关控制）和过压保护，在电源路径中设有第二个MOSFET。

特性

符合汽车应用类AEC-Q100标准
- 器件温度1级：-40°C至+125°C环境工作温度范围
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级2
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD分类等级C4B
输入范围：3V至65V
反向输入保护至-65V
驱动外部背靠背N沟道MOSFET
理想二极管运行，具有9.1mV A至C正向电压降调节
低反向检测阈值 (–4mV)，快速响应 (0.5?s)

有源整流高达200kHz
峰值栅极 (DGATE) 导通电流：60mA
2.6A峰值DGATE关断电流
集成3.8mA电荷泵
可调过电压保护
低关断电流：2.87?A（EN/UVLO=低）
2.6A峰值DGATE关断电流
采用合适的TVS二极管，符合汽车ISO7637瞬态要求
采用节省空间的12引脚WSON封装

应用

汽车电池保护
ADAS域控制器
音响主机

gao级音频
用于冗余电源的有源ORing

LP8866SQDCPRQ1

LM74810QDRRRQ1

TPS61500PWP

LP8866QDCPRQ1

TLC5941PWP

LM74810QDRRRQ1

TLC5921DAP

LP8860AQVFPRQ1

LP8860LQVFPRQ1

TLC59711PWP

LM74810QDRRRQ1

LM3697YFQR

TPS92561DGNR

LM74810QDRRRQ1

深圳市兴中芯科技有限公司

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优势库存(2000)

普通库存(500000)

集成电路(IC)(951)

电源IC(105)

半导体存储器(2)

二极管(18)

可控硅IGBT(1)

单片机(15)

电阻器(1)

电源/稳压器(174)

开关(5)

传感器(39)

普通电池/蓄电池/动力电池(1)

放大器(123)

光电子/光纤/激光(6)

LED(4)

显示屏/显示器件/配件(19)

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TI LM74810QDRRRQ1 电源管理 (PMIC)

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特性

应用

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