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深圳市兴中芯科技有限公司
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产品信息
Microchip Technology 2Mb SST26VF020A NOR闪存
Microchip Technology 2Mb SST26VF020A NOR闪存是串行四路I/O? (SQI?) 系列闪存器件，设有六线和4位I/O接口。该六线、4位I/O接口 支持低功耗和高性能运行，采用低引脚数封装。这些NOR闪存提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。2Mb SST26VF020A闪存还支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的完整命令集兼容性。该系列器件在2.3V至3.6V单电源电压范围内写入（编程或擦除）。SST26VF020A NOR闪存提供软件写保护方案，可对内存阵列中的选定块进行群组保护。这些NOR闪存符合AEC-Q100标准和RoHS指令。特性
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单电压读写操作：
- 电压范围：2.7V至3.6V或2.3V至3.6V
-
串行接口架构：
-
半字节宽多路复用I/O，采用类似于SPI的串行命令结构：
- 模式0和模式3
- x1/x2/x4串行外设接口 (SPI) 协议
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半字节宽多路复用I/O，采用类似于SPI的串行命令结构：
-
高速时钟频率：
- 2.7V至3.6V 104MHzzui大值（工业）
- 2.3V至3.6V 80MHzzui大值（工业和扩展）
-
突发模式：
- 连续线性突发
- 8/16/32/64字节线性突发，带环绕
-
出众的可靠性：
- 耐久性：100,000次（zui小值）
- 数据保留：>100年
-
低功耗：
- 有源读取电流：15mA（典型值，104MHz时）
- 待机电流：15?A（典型值）
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擦除时间短：
-
扇区/块擦除：
- 20ms（典型值）和25ms（zui大值）
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芯片擦除：
- 40ms（典型值）和50ms（zui大值）
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扇区/块擦除：
-
页面编程：
- 在x1或x4模式下，每页256字节
-
写入结束检测：
- 软件轮询STATUS寄存器中的BUSY位
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灵活的擦除功能：
- 统一4Kb扇区
- 统一32Kb重叠块
- 统一64Kb重叠块
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写入-暂停：
- 暂停编程或擦除操作，以访问其他块/扇区
- 软件复位 (RST) 模式
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软件写保护：
- 通过STATUS寄存器中的块保护位进行写保护
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安全ID：
-
yi次性可编程 (OTP) 2Kb安全ID：
- 128位wei一和工厂预编程标识符
- 用户可编程区域
-
yi次性可编程 (OTP) 2Kb安全ID：
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温度范围：
- -40°C至85°C（工业范围）
- -40°C至125°C（扩展范围）
- 符合汽车类AEC-Q100标准
-
采用以下封装：
- 8触点WDFN (6mm x 5mm)
- 8引脚SOIC (3.90mm)
- 符合RoHS指令
| PIC24FJ128GL302-I/SO |
| AVR128DA48-E/6LX |
| PIC18F26Q84-I/SP |
| AVR64DB48-E/6LX |
| SST26VF020A-104I/MF |
| AVR128DB32-E/PT |
| PIC24FJ128GL305-I/M4 |
| PIC24FJ128GL303-I/M5 |
| SST26VF020A-104I/MF |
| PIC24FJ128GL302-E/ML |
| PIC24FJ128GL302-E/SO |
| AVR64DB64-I/MR |
| AVR128DA64-I/PT |
| PIC18F26Q84-E/SP |
| AVR128DB48-E/6LX |
| AVR128DA64-I/MR |
| SST26VF020A-104I/MF |
| AVR32DB28-I/SP |
| AVR128DB48-E/PT |
| PIC24FJ128GL305-E/M4 |
| SST26VF020A-104I/MF |
| AVR128DB64-I/MR |
| AVR128DA64-E/MR |